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主讲人：李成明时间：2022年11月24日（周四）下午14：00地点：腾讯会议报告摘要回顾CVD金刚石发展四十年，经历了跌宕起伏的发展历程。随着微波等离子体制备单晶金刚石的爆发，培育金刚石...
主讲人：冯志红时间：2022年11月17日（周四）下午14：00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要以电磁波作为信息传递载体的半导体光电子、微电子和通信技术革命是社...
主讲人：宋杰时间：2022年11月10日（周四）上午10：00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要非极性和半极性GaN能够有效地解决III族氮化物LED中长期存在的efficiency...
主讲人：Kuan Yew Cheong时间：2022年11月3日（周四）下午15：00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要High quality is the only criterion for a manuscript to be...
主讲人：徐鸣时间：2022年10月27日（周四）下午14：00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要超快脉冲功率源技术在超宽带冲激雷达、材料科学、环保等领域有着广泛的...
主讲人：龙世兵时间：2022年10月20日下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要氧化镓（Ga2O3）是一种超宽禁带（~4.8 eV）半导体材料，其高击穿场强（~8 MV/cm...
主讲人：祝世宁时间：2022年10月13日14:00地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅、腾讯会议报告摘要铌酸锂晶体是一种有着悠久研究历史的铁电晶体，具有优异的电光、声光和非线性光学性...
主讲人：Sima Dimitrijev时间：2021年6月15日10:00地点：半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要The key concepts in standard device modeling, such as continuous carrier conce...
主讲人：孙国胜时间：2021年1月20日15:00地点：腾讯会议号 808431584报告摘要宽禁带SiC半导体提供了一个超越传统Si半导体材料极限限制的机会，4H-SiC CVD（化学气相淀积）外延生长是制造...
主讲人：Kuan Yew Cheong时间：1月14日15:00-16:00地点：腾讯会议号 753911587Kuan Yew CheongElectronic Materials Research Group, School of Materials & Mineral Resources Engineer...
