与第一代和第二代半导体材料相比，新一代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是引领新一轮产业革命的关键材料，也是引领新旧动能转换的利器。

山东大学新一代半导体材料研究院是教育部首批支持的战略科技创新平台，依托山东大学开展建设。研究院充分发挥学校在半导体材料研究领域的已有优势，通过整合校内微电子、物理、化学、材料、机械、控制、信息等优势学科力量，瞄准半导体材料技术未来发展方向，面向能源、信息、轨道交通等领域的重大需求，重点开展碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等新一代宽禁带、超宽禁带半导体单晶材料及器件研究工作，旨在突破关键核心技术，支撑核心产业发展，推动我国新一代半导体、集成电路、信息技术的快速发展，满足经济建设的重大需求。

山东大学将研究院建设列为“双一把手工程”，举全校之力、集全校之智予以重点推进。作为学术特区，研究院实行管理委员会领导下的主任负责制，管理委员会主任由校长担任。学校为研究院在校内新建1.2万平方米研发中心大楼，配备各类先进仪器设备，给予稳定的经费与政策支持。研究院创新科研攻关模式，以攻关任务为导向，给予青年教师充分自主权；构建起“一中心多基地”的发展格局，围绕产业链部署创新链，与华为等龙头企业建立深度合作关系；组建起一支包括教育部“长江学者”特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”入选者等在内的高端研究团队。研究院作为晶体材料国家重点实验室的重要支撑，将以更加开放的姿态和国际化的视野，珍视机遇，不辱使命，力争成为我国新一代半导体材料及器件产业化技术策源地。