主讲人：宋杰

时间：2022年11月10日（周四）上午10：00

地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议

报告摘要

非极性和半极性GaN能够有效地解决III族氮化物LED中长期存在的efficiency droop和green gap问题。自从2000年起，非极性和半极性GaN就引起了材料和器件科学研究者极大的兴趣。本报告主要介绍我们在蓝宝石图形化衬底上半极性(20-21) GaN异质外延生长的研究进展。通过对GaN中层错缺陷的产生机制的深刻理解，利用晶体表面生长动力学的调控，成功消除了在蓝宝石衬底上生长的半极性GaN中的层错，实现了大尺寸无层错半极性GaN的材料制备以及相关器件的研究工作。

个人简介

国家高层次人才计划入选者，中科院西安光机所研究员。在北京大学取得博士学位，之后在美国耶鲁大学从事博士后以及研究科学家工作长期开展GaN半导体材料和器件的研究工作，获得了30多项发明专利授权，在Advanced Materials, Applied Physics Review, Advanced Functional Materials, Nano Lett等期刊发表论文50余篇。研究工作主要集中在通过新颖的外延生长技术和结构设计来制备高质量的材料，以不断改进GaN基光电子器件的性能。