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近期，山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台攻克了大尺寸碳化硅单晶结晶质量、晶型控制、衬底加工等系列难题，实现国内大尺寸碳化硅技术突破。由山东大学牵头制定，与第三代半导体产...
5月，《Journal of Materials Chemistry C》期刊发表了来自山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Wide-temperature-resistantsemi-insulatingCo:β-Ga2O3single...
近日，《CrystEngComm》期刊发表了来自山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Growth and characterization of theβ-Ga2O3(011) plane without line-shaped def...
背景介绍：相比于第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料具有更高的击穿场强、电子饱和速率、热导率以及更宽的带隙，更加适用于高频、大功率、抗辐射、耐腐蚀的电子器件、光电子器...
近日，山东大学陶绪堂教授团队使用导模法(EFG)成功制备了外形完整的4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并对其性能进行了分析。劳厄测试衍射斑点清晰、对称，说明晶体具有良好的单晶性...
近日，新一代半导体材料研究院氮化物任务组，实现了GaN晶体储能器件在150℃高温环境下稳定工作。研究成果以“Vacancy-Modified Few-Layered GaN Crystal for Novel High-Temperature Ene...
近日，山东大学徐现刚教授团队在8英寸导电型碳化硅（SiC）单晶衬底制备技术领域取得重要突破。团队与南砂晶圆半导体公司合作，采用物理气相传输法（PVT）扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单...
近日，贾志泰教授团队研究论文“导模法生长高质量氧化镓单晶的研究（第一作者贾志泰，通信作者陶绪堂）”入选“第六届中国科协优秀科技论文遴选计划”，论文于2017年在《人工晶体学报》...
近日，张百涛、何京良教授课题组综述了基于Er3+、Ho3+和Dy3+离子掺杂晶体的2.7-3μm波段中红外固体激光的研究现状，系统地介绍了稀土离子掺杂晶体中红外固体激光的关键技术和研究进展，...
左致远副教授团队综述论文“钙钛矿发光二极管的研究进展与机遇挑战”入选《激光与光电子学进展》2021年第11期封面文章与主编精选“优秀论文”并给予重点推荐。以下为文章主要内容：一、...
