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氮化镓（GaN）材料因其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿电场高、热导率高等优点，在高温、高压、大功率、微波器件等领域展现出巨大的发展潜力。近日，山东大学新一代半导体材料研究...
近日，中共山东省委组织部印发《关于表彰全省“担当作为好书记（好干部）”“干事创业好班子（团队）”的决定》，山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台获评“山东省干事创业好团队”...
近日，集成攻关大平台“新一代半导体碳化硅材料及器件学生创新团队”获评第十五届山东大学学生五四青年科学奖（集体）。4月29日晚，学生创新团队受邀参加山东大学榜样的力量颁奖晚会。集...
近日，《Journal of Materials Chemistry C》期刊发表了来自山东大学新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Bandgap engineering and Schottky barrier modulation of ul...
近日，2023年度山东省青年创新团队名单公布，山大推荐的“新一代半导体碳化硅材料及器件应用创新团队”获评2023年度山东省青年创新团队。新一代半导体碳化硅材料及器件应用创新团队发扬...
新年伊始，万象更新。2023年新一代半导体材料集成攻关大平台建设圆满度过第四个年头，这一年大平台有组织科研成效显著，国家重大战略科技任务进展顺利，关键核心技术攻关取得新突破，进...
11月15日至19日，第二十五届中国国际高新技术成果交易会在深圳举办，会议以“激发创新活力提升发展质量”为主题，重点围绕“十四五”规划布局和科技发展重点领域，集聚创新要素，展示海...
8月，集成攻关大平台碳化硅团队合作以“低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（Fabrication of 8-inch N-type 4H-SiC Single Crystal Substrate with Low Dislocation Density）”为...
7月，新一代半导体材料研究院功率器件团队和激光团队合作在《Crystals》期刊发表了论文“Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review”, Crystals...
6月，《Journal of Semiconductors》期刊发表来自集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Rapid epitaxy of 2-inch and high-qualityα-Ga2O3films by Mist-CVD method, J. Semicond, 2023...
