主讲人：龙世兵

时间：2022年10月20日下午14:00

地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议

报告摘要

氧化镓（Ga₂O₃）是一种超宽禁带（~4.8 eV）半导体材料，其高击穿场强（~8 MV/cm）、高Baliga品质因数（~3444）、低成本熔融法单晶生长技术、及直接对应日盲紫外波段的吸收等突出优点使其在功率器件（SBD、MOSFET）及日盲紫外探测领域具有重要的应用。报告主要讲述其课题组在Ga₂O₃功率电子器件及日盲紫外探测器件的研究进展。

个人简介

龙世兵，中国科学技术大学教授，国家杰出青年科学基金获得者。IEEE高级会员，在国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引6000余次，6篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。