8月23-25日，作为中国电子产业领域的重要盛事之一的2023年深圳国际电子展览会（ELEXCON）开幕，集成攻关大平台主任徐现刚、教授陈秀芳、副教授杨祥龙等专家应邀参加本次展会，并携团队新产品——8英寸导电型碳化硅衬底亮相。

图：集成攻关大平台主任徐现刚参会现场

图：从左依次为杨祥龙、陈秀芳、徐现刚

杨祥龙博士在深圳国际第三代半导体与应用论坛做题为《八英寸SiC单晶的研究进展》报告。在报告中，杨祥龙提到团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理气相传输法实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备，其中螺位错密度为0.55 cm^-2，基平面位错密度为202 cm^-2。8英寸SiC衬底位错缺陷的有效控制，有助于加快国产8英寸导电型衬底的产业化进程，提升市场竞争力。

图：2023年深圳国际电子展览会现场

未来团队将在大尺寸碳化硅衬底领域继续加大投入力度，提升核心竞争能力，立足粤港澳大湾区，力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体团队。