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集成攻关大平台举办《高压SiC功率器件封装可靠性与应用研究》学术报告

发布日期:2023-09-18   点击量:

9月16日,新一代半导体材料研究院系列学术报告成功举办,上海交通大学电气工程系长聘教轨副教授王亚林受邀作为本期学术报告主讲嘉宾,为师生作题为“高压SiC功率器件封装可靠性与应用研究”的报告。论坛在半导体研发大楼第一会议室举办,由大平台主任徐现刚教授主持。

图:王亚林副教授做学术报告

报告探讨了高压SiC功率器件的应用背景、封装材料、封装失效以及实现方法,为功率器件封装领域的研究和应用提供了宝贵的见解。报告首先介绍了高压SiC功率器件的背景,以及应用的重要性,特别是在提高能源效率和减少环境影响方面的作用。同时,报告详细介绍了高压SiC功率器件封装材料的选择和优化,分享了最新的封装材料技术,探讨了这些材料在提高功率器件性能和稳定性方面的应用,此外,深入探讨了高压SiC功率器件封装失效的原因和机制,总结了关于高压SiC功率器件封装的最新实现方法和技术进展,并展望了高压功率器件未来封装研究方向。

报告结束后,参会师生围绕高压SiC功率器件封装可靠性与应用研究展开积极讨论。