5月23-24日，由《半导体芯科技》杂志和《化合物半导体》杂志协助承办的“2023半导体先进技术创新发展和机遇大会”在苏州狮山国际会议中心隆重举行。集成攻关大平台研究员彭燕代表碳化硅攻关任务组应邀参加，并作“迈向8英寸的‘芯’时代”主题报告。

图：2023半导体先进技术创新发展和机遇大会会议现场

报告中，彭燕针对当前研发和产业的热点问题，详细介绍8英寸SiC单晶衬底的研发工作，并结合集成攻关大平台碳化硅衬底相关研究，概述该领域研究现状和面临的挑战。

报告特别强调位错控制这一产业和研发领域关注的重要问题。碳化硅攻关团队深入研究BPD和TED之间相互转化机制，并采用有效的方法来识别和区分不同类型的位错。这一研究对于保证碳化硅单晶衬底质量的提升具有重要意义。此外，彭燕还分享了超宽禁带材料氧化镓、氮化铝和金刚石等材料的研发进展，相关材料在半导体技术领域具有广阔的应用前景，对推动半导体产业的发展起着重要作用。

此次报告，碳化硅团队进一步展示了新一代半导体材料集成攻关大平台在碳化硅单晶衬底研发领域的重要进展和成果。并通过和与会专家的深入交流和探讨，团队积极寻求进一步提升这些材料性能和开拓应用领域的途径，攻关组将继续加强研究团队的协作，不断推动我国半导体材料领域的创新和发展。

图：彭燕作学术报告“迈向8英寸的‘芯’时代”