8月9日，由新一代半导体材料集成攻关大平台主办的2023年碳化硅及相关材料器件研讨会在山东威海成功举办。北京大学、厦门大学、浙江大学、南京大学、西安电子科技大学、西安交通大学等单位的专家学者以及大平台部分专家学者受邀参加，会议由大平台研究员张雷主持开展。

图：碳化硅及相关材料器件研讨会现场

图：新一代半导体材料集成攻关大平台书记曲刚致欢迎词

会议开幕由集成攻关大平台党委书记曲刚致辞，并向参会领导与专家表达欢迎与感谢。厦门大学教授张峰、西安电子科技大学教授宋庆文、浙江大学教授郭清、南京大学教授陈鹏等分别作《新型SiC MOSFET器件结构和特性研究》、《宽禁带半导体碳化硅功率器件的发展现状》、《碳化硅超级结器件的研究进展》、《GaN肖特基功率器件的性能极限研究及初步实验》报告；集成攻关大平台研究员张雷、研究员谢雪健及教授徐明升分别作《氮化物晶体研究进展》、《碳化硅单晶研究进展》、《金刚石场效应晶体管及光电探测研究》学术报告，各单位参会专家围绕碳化硅材料与器件，氮化铝、氮化镓及金刚石材料与器件等内容作相关报告。

报告结束，各专家围绕会议内容开展方向发展交流，肯定了宽禁带和超宽禁带半导体的重要性，并深入探讨后续各领域的合作计划。

图：平台张雷教授作《氮化物半导体晶体研究进展》学术报告

图：平台谢雪健研究员作《碳化硅单晶研究进展》学术报告

图：平台徐明升教授作《金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究》学术报告