10月20日，第二期山东大学“育晶论坛”成功举办，国家杰青、中国科学技术大学龙世兵教授应邀作了题为“氧化镓半导体器件”的学术报告。报告由新一代半导体材料研究院副主任贾志泰教授主持。

图：龙世兵教授作线上报告

龙士兵教授从基础的理论知识出发，介绍了氧化镓的材料特性、应用领域与国内外研究现状；在简要总结氧化镓材料在功率器件及日盲紫外探测领域的重要应用意义后，系统介绍了其课题组在氧化镓功率器件及光电探测器件方面做出的创新性工作：通过控制Ga₂O₃表面洁净度，实现了高性能无终端Ga₂O₃SBD；利用Ga₂O₃的热氧化高阻特性，设计并制备出热氧终端SBD，击穿电压达到1800 V；针对Ga₂O₃难以实现P型掺杂问题，引入p型NiO材料，研制NiO/Ga₂O₃异质PN结二极管，并通过退火优化界面提高器件性能；进一步采用结终端扩展结构（JTE）及退火工艺实现结终端高耐压及高耐温PN结二极管；此外，基于低成本的非晶GaO_X，通过缺陷与掺杂工程设计实现了极端环境下（高温、高压、高能辐照）依然表现超高灵敏度的日盲探测器；从材料及结构方面对探测器进行设计，实现了不同类型的高性能Ga₂O₃日盲紫外探测器；针对探测阵列成像应用，设计了探测阵列并实现了清晰地日盲成像验证等。

报告结束，参会师生踊跃发言，围绕功率器件结构、紫外探测器制备工艺及器件性能优化等与龙世兵教授进行深入交流。

图：论坛报告线上会场

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、新一代半导体材料研究院决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。