1月12日下午，新一代半导体材料集成攻关大平台与华大半导体有限公司成功举办了以“新一代半导体材料（碳化硅/氧化镓）技术发展”为主题的专题研讨会。华大半导体副总经理赵毅，研究院技术总监卢继武，科创部何奥东；晶体材料全国重点实验室主任、集成攻关大平台主任徐现刚，实验室副主任、大平台常务副主任陈秀芳等双方代表出席了会议。
会议就碳化硅产业发展现状与机遇、氧化镓材料潜力与战略布局等前沿议题进行了深入交流与务实探讨，就新一代半导体配套的先进散热技术，例如碳化硅与金刚石等高热导率材料结合以解决未来更高功率芯片的热管理挑战等展开简要分析。
研讨会后，赵毅一行到晶体材料科技展厅与晶体生长实验室进行参观。
本次研讨会交流深入，有效促进了集成攻关大平台与华大半导体在宽禁带半导体前沿领域的相互了解与思路对接。双方均表示，将以此为契机，持续关注技术发展动态，探索在基础研究、技术开发与生态构建等方面开展更广泛合作的可能性，共同为推动我国新一代半导体材料与器件的自主创新发展贡献力量。
