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韩吉胜

发布日期:2021-07-26   点击量:

韩吉胜,山东大学特聘教授,博士生导师。专注于SiC肖特基二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等功率器件的研发工作,先后主持和参加了多项SiC各类器件研发、中试工作,具备SiC功率器件制备关键工艺的理论知识与工艺经验,是SiC器件方面的知名专家,是澳大利亚原子能科学和工程协会材料分会专家组成员、格里菲斯大学2007-2009年度fellow、西安电子科技大学创新引智基地专家等。曾在澳大利亚格里菲斯大学微纳中心工作20多年,在宽禁带半导体领域积累了丰富的实践教学和产业化经验。开发的低成本高性能的SiC SBD器件工艺已完成中试和工艺固化,进入产业化准备状态。掌握的MOSFET栅氧生长及相关设备的制造技术,已在Cree、Infineon等SiC功率器件企业得到广泛应用。

通信地址:山大南路27号山东大学中心校区半导体大楼319

联系电话:0531-88369784

电子邮箱:J.han@sdu.edu.cn 

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