主讲人：刘强博士

时间：2024年12月4日（周三）上午9:30

地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室

报告摘要

氮化镓由于其性能优异被广泛应用于光电、功率和射频领域，然而由于高质量氮化镓体单晶制造成本高昂目前仅有少数应用使用氮化镓单晶衬底。目前有多种制造氮化镓体单晶的技术，包括氨热法、钠助熔剂法、以及卤化物气相外延法。

本报告内容包括：目前产业主流的GaN单晶衬底制备方法，正在研发中的下一代GaN单晶制备方案，以及北京大学东莞光电研究院在研的GaN单晶生长技术进展。

个人简介

北京大学东莞光电研究院院长助理，日本名古屋大学天野浩研究室博士，北京大学物理学院博士后，中镓半导体科技有限公司技术顾问，连续十余年从事第三代半导体相关工作，涵盖材料生长设备设计、晶体生长和器件制备，积累大量科研成果与经验，参与国家重点研发计划重点专项“GaN单晶衬底材料制备产业化技术”、广东省区域联合基金青年基金项目“氢化物气相外延法制备高质量氮化镓自支撑衬底的研究”、广东省基础与应用基础研究重大项目“基于离子束剥离技术的大尺寸金刚石基氮化镓异质集成电子器件研究”等项目的研发工作，发表高质量论文近10篇，参与国际与国内学术会议并做报告近10次，申请专利15件，授权5件。