主讲人：李炳生

时间：2023年4月27日（周四）下午14:00

地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅、腾讯会议

报告摘要

βGa₂O₃在深紫外光电器件和功率器件等领域有重大应用前景。它的禁带宽度4.5-5.0 eV,对应于深紫外日盲波段，且具有独特的能带结构，是一种理想的日盲探测材料。我们利用热氧化反向替代生长的方法，制备了p-βGa₂O₃/n-GaN异质结：把氮化镓在富氧环境下高温处理，氧原子取代氮化镓中的氮原子而形成氧化镓，并且和底部的氮化镓形成异质结。基于这一结构，我们主要介绍两种探测器件结构及其紫外光电响应特性。

1，βGa₂O₃/GaN异质结宽谱探测¹：在-5 V的偏置下，255和360 nm的光响应度分别为56和22 AW⁻¹。相应的，探测率达到了2.7×10¹⁵Jones (255 nm)和1.1×10¹⁵Jones（360 nm）的超高值。这一结果接近光电倍增管的响应指标。

2，Graphene:N/βGa₂O₃/GaN p-i-n快速响应日盲探测器²：引入石墨烯，增强内建电场，改进了器件的光谱选择性，实现了8.8×10¹⁴Jones的日盲探测，并且响应速度进一步加快。该紫外探测器的高性能主要是由于p-βGa₂O₃/n-GaN异质结的连续导带不存在势垒，更有利于光生成电子从空间电荷区向n型GaN层的输运。

[1] Han YR, et al. Small 2023, 2206664 https://doi.org/10.1002/smll.202206664.

[2] Han YR, et al. Small Methodshttps://doi.org/10.1002/smtd.202300041.

个人简介

李炳生教授目前任职于东北师范大学，主要研究宽带隙半导体薄膜MOCVD外延与紫外光电器件的应用。曾在日本产业技术综合研究所，美国纽约城市大学，日本东京大学先进研究院，哈尔滨工业大学利用MBE和PLD技术开展半导体光电子器件研究工作。先后获得科技部变革性重点项目，NSF面上项目，青年基金，日本JSPS等项目支持。发表科技文章一百多篇，申请专利29项，其中10项已经授权。