6月3日，山东大学第四十三期“育晶论坛”成功举办。电子科技大学刘奥教授受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作了题为“面向CMOS集成的新型P型平面导体材料与器件探索”的报告。本次论坛由大平台徐明升教授主持。

报告从高性能P型半导体材料的研究现状出发，系统梳理了当前P型材料在平面薄膜晶体管（TFT）器件中的应用进展。报告聚焦非晶P型氧化物材料的开发与应用，深入分析了该领域所面临的关键科学问题，揭示了材料的本征性能限制以及在载流子输运机制、器件制备与CMOS工艺集成等方面存在的挑战。

报告进一步介绍了刘奥教授团队在多种P型半导体材料（如金属氧化物、金属卤化物、钙钛矿材料及元素化合物）领域的研究进展与突破性成果。报告展示了基于新型沟道材料构建的高性能、高稳定性TFT器件，并指出全氧化物柔性多功能CMOS逻辑电路的集成制造，为未来构建低功耗、高密度电子系统提供了重要支撑。

在讨论环节，刘奥教授与参会师生围绕非晶P型材料的结构调控、电学性能优化及其在CMOS集成中的应用潜力展开了深入交流。

论坛结束后，大平台徐明升教授向刘奥教授表示感谢并颁发了证书。

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。