碳化硅攻关组成员在临近年底之际，选择坚守科研攻关岗位，全力攻克“卡脖子”技术难题。2月4日，时值农历腊月二十五，碳化硅攻关团队召开临时会议，根据徐现刚教授、陈秀芳教授的统一安排，对近期产线上晶体生长的关键缺陷表征技术进行了讨论，并总结了2023年度整体的晶体质量情况。会议由碳化硅团队负责人徐现刚教授主持，讨论从晚9点持续到晚上11点。

新一代半导体材料研究院先锋攻关团队成员邵辰博士作会议报告，她从团队近期衬底测试情况、广州南砂衬底使用情况、南砂8英寸衬底质量评估报告、外延情况应对等方面进行详细汇报与分析。攻关团队谢雪健、杨祥龙、胡秀飞、张木青、熊希希、于建国等成员参会，并就汇报内容进行深入探讨交流。

邵辰讲到，2023年度她所在的先锋攻关团队协助广州南砂晶圆半导体技术有限公司实现了碳化硅衬底从6英寸产线到8英寸产线的重大突破，她本人在陈秀芳老师的熏陶、指导下，提高了专业实践能力，同时考虑问题更加细致全面，对待科研工作的态度也更加认真积极。她表示，接下来的时间要向科研前辈学习不服输的攻关韧劲，力争把科研工作做到更好。

临近年底，碳化硅先锋攻关团队任务重、指标多，成员们仍旧保持着极高的工作热情，迎难而上，锐意进取，主动留守广州，记录关键科研数据，以如期完成既定攻关计划，奋力推进科研工作勇立潮头开新局。