7月，新一代半导体材料研究院功率器件团队和激光团队合作在《Crystals》期刊发表了论文“Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review”, Crystals 2023, 13,1106.（第一作者李果，通信作者韩吉胜、徐明升）。

该论文综述了SiC功率器件的重要性及主要制备工艺，其中欧姆接触是必不可少的环节。主要从激光退火设备的搭建及原理，电极材料的选择及反应机制，衬底种类的影响及器件制备验证4个方面对已有文献进行了对比讨论，并对未来的发展方向进行了预测，对存在的问题提出了简要的解决方案建议。

图：激光退火欧姆接触系统结构及欧姆接触结果分析

相对于传统快速退火工艺，激光退火能够使接触表面被辐照区域局部升温发生反应，不会大规模地影响到整个器件，因此在碳化硅功率器件领域更有前景。通过优化激光的脉冲宽度、能量密度等参数可获得与快速退火相当的比接触电阻率；XRD结果分析表明两种退火方式的产物种类基本相同；但是TEM和SEM结果表明其中的产物分布和结构两者有所不同，一些电极材料中激光退火的欧姆接触特性甚至超过了快速退火工艺；将激光退火应用于SiC功率二极管中在不影响击穿电压的情况下获得了更低的导通电阻。

上述研究工作得到了国家自然科学基金、晶体材料国家重点实验室和新一代半导体材料研究院的大力支持。

原文链接：https://doi.org/10.3390/cryst13071106