新年伊始，万象更新。2023年新一代半导体材料研究院建设圆满度过第四个年头，这一年研究院有组织科研成效显著，国家重大战略科技任务进展顺利，关键核心技术攻关取得新突破，进入了高质量发展的新阶段。2024年新年第一天，新一代半导体材料研究院各攻关任务组仍奋斗在科研第一线，锐意进取、攻坚克难。
碳化硅团队 彭燕研究员：
新年第一天碳化硅团队彭燕研究员仍奋斗在实验室一线岗位：又一年元旦，新旧交替总是有着不一样的期许。回顾这一年，实验室的工作紧张而又不紊推进着，8英寸碳化硅制备从最初技术突破到现阶段衬底生长和加工质量稳步提升，是团队每位工作人员不分日夜的坚持和努力的结果。新的一年，面临新技术、产业的挑战，我们有着更高的目标和奋进的方向。
彭燕研究员感谢2023年奋斗在工作岗位上的每一位同事和研究生们，希望新的一年团队的努力会化为更加耀眼的科研成果。
图：新年第一天碳化硅团队彭燕研究员奋斗在实验室一线岗位
图：新年第一天碳化硅团队实验室工作有条不紊持续推进
图：新年第一天碳化硅团队实验室工作有条不紊持续推进
氮化物团队 张雷研究员：
新一代半导体材料研究院张雷研究员及其研究团队表示：2023年在研究院院长徐现刚教授的指导和支持下，氮化物晶体取得了丰硕的研究成果，氮化铝晶体尺寸和质量逐步提升，氮化镓晶体成品率稳定提高，产业化进程正积极推进中。
张雷研究员表示，新的一年，氮化物研究团队将继续攻关，努力创新，争取再创佳绩，为解决国家第三代半导体领域“卡脖子”难题做出积极贡献。
图：新年第一天氮化物攻关团队成员持续攻关
图：新年第一天张雷研究员表示新的一年争取再创佳绩
图：新年第一天氮化物攻关团队成员持续攻关
金刚石材料与器件团队 王希玮副研究员：
新一代半导体材料研究院金刚石材料与器件团队王希玮副研究员在2024年的第一天表示：辞旧迎新，但是使命依旧。今天是假期，虽然寒冬凛冽，金刚石材料与器件方向的老师和同学们依然来到了实验室进行工作。元旦假期期间，为了金刚石材料制备方向的科研任务攻关，实验室中的设备均保持持续24小时不间断运行，团队各位师生牢记肩负的使命与科研任务的紧迫性，分组进行金刚石单晶体生长结果讨论与优化。
王希玮副研究员希望在新的一年，金刚石晶体生长加工与应用能够进一步实现突破，为超宽禁带金刚石材料在我国后续半导体应用端的突破打下坚实的基础。
图：新年第一天金刚石材料与器件团队王希玮副研究员表示使命依旧
图：新年第一天金刚石材料与器件团队实验室设备仍保持24小时不间断运行
氧化镓团队 穆文祥副教授、李阳副教授：
愿悲欢历尽，照亮所有向往，盼千帆过后，听见前路回响。
新年伊始，科研依旧。新一代半导体材料研究院穆文祥副教授和李阳副教授正和研究生侯童、马旭、董岳对氧化镓晶体进行晶面定向，讨论后续加工方式以及工艺的优化。过去的一年里，在美国、日本等国家发布氧化镓禁运条令的大环境下，课题组奋斗在国产自主氧化镓研究第一线，在大尺寸氧化镓单晶生长上取得优异进展，逐步完善相关性能表征，衬底加工工艺也不断优化，攻关任务获得阶段性胜利。
新的一年已经到来，穆文祥副教授希望任务组科研顺利，争取再获重大突破性成果，为国家增强核心竞争力，打破国际技术封锁，为抢占新一代半导体科技制高点作出有力贡献。
图：新年第一天穆文祥副教授正和研究生进行晶面定向讨论
图：新年第一天李阳副教授正和研究生讨论后续加工方式及工艺的优化
半导体与激光技术团队 马铁军博士、李佳桐博士：
新年第一天，新一代半导体材料研究院2023级博士研究生马铁军正在对激光光路进行分析调试和实验优化：回首过去一年，在何京良教授、张百涛教授等老师的指导下，团队研制了系列超快激光光源，进行了工程化样机设计并应用于碳化硅等第三代半导体材料的超快加工中，进一步提高了材料和器件的加工效率和加工质量。马铁军博士希望在新的一年，超快激光实现更高的功率、更大的能量，获得更大的突破，通过把实验成果和技术成功应用于宽禁带半导体材料及其器件，完成平台承担的重大攻关任务，助力我国智能制造、工业加工等领域国家重大基础建设。
半导体与激光技术团队2022级博士研究生李佳桐同样奋斗在科研第一线：面对着碳化硅、金刚石等硬脆半导体材料加工高、精、尖、硬的技术难题，超快激光因具有“冷加工”、“超精细”的特性，是激光技术未来发展的重要方向。但高端超快激光器强烈依赖进口，关键核心器件受到国外封锁禁运，受制于人。因此研发一系列高端全国产超快激光器，形成硬脆半导体精密制造新方法是我们团队每一位成员的重大责任和光荣使命。李佳桐博士表示，我们定会不忘初心，在何京良教授和张百涛教授的带领下，为解决“卡脖子问题”站好科研的每一班岗，为实现全面国产化提供技术保障。
图：新年第一天马铁军博士、李佳桐博士对激光光路进行分析调试
图：新年第一天马铁军博士、李佳桐博士对激光光路进行分析调试
新一代半导体器件团队 徐明升教授：
新年第一天，新一代半导体器件攻关组徐明升教授与团队师生一起进行碳化硅功率器件关键技术研讨。他表示过去一年团队师生聚焦201项目的重大需求，在大平台特聘教授韩吉胜的指导和启发下，攻关组在碳化硅同质外延生长、高温栅氧氮化工艺研究、激光退火欧姆接触技术开发、高温高湿反偏可靠性研究等方面进行系统研究，并取得了阶段性成果。
新的一年，徐明升教授表示任务组成员将继续同心协力、艰苦攻关，为破解碳化硅功率器件的关键卡脖子难题贡献力量。
图：新年第一天新一代半导体器件团队师生进行技术研讨
图：新年第一天徐明升教授表示任务组成员将继续同心协力、攻坚克难
