6月25日至27日，新一代半导体材料集成攻关大平台副研究员崔潆心受邀参加2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）并做学术报告。
崔潆心在“硅、碳化硅功率器件及封装”主题论坛中作了题为《大电流高压碳化硅器件及产业化》的学术报告。详细介绍了碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）的应用背景及发展历程，重点阐述了无需离子注入的大功率碳化硅肖特基二极管技术路线。
本次会议内容涵盖了硅、碳化硅、氮化镓及氧化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、等产业链各环节。
