学校主页
学术预告
当前位置是: 首页 - 学术科研 - 学术预告 - 正文

4H-SiC外延生长技术及进展

发布日期:2021-01-18   点击量:

主讲人:孙国胜

时间:1月20日15:00-16:00

地点:腾讯会议号 808431584

报告摘要

宽禁带SiC半导体提供了一个超越传统Si半导体材料极限限制的机会,4H-SiC CVD(化学气相淀积)外延生长是制造SiC功率器件结构材料最常用的方法,SiC功率器件的制造离不开SiC外延生长,SiC功率器件的性能和成品率很大程度上取决于SiC外延生长技术水平,不但要求SiC外延材料具有高质量、高均匀性、低缺陷密度、低表面粗糙度,而且在较宽的范围内能够对掺杂浓度进行良好控制。本报告围绕4H-SiC外延生长技术及进展,主要介绍4H-SiC外延生长技术及其相关问题与进展,其中包括4H-SiC外延生长的作用、4H-SiC同质外延生长机理、晶片质量评价内容与方法、大尺寸SiC外延晶片进展等。

个人简介

孙国胜,中国科学院半导体所研究员,博士研究生导师,2011年广东省第二批创新科研团队核心成员(珠江人才),东莞市天域半导体科技有限公司技术总监。从事过非晶硅(a-Si:H)、非晶碳化硅(a-SiC:H)半导体材料与器件技术研究和半导体致冷技术的研究与开发工作。多年从事高温大功率宽禁带SiC半导体外延材料生长、特性表征、外延设备研制、器件设计与研制、外延晶片产业化研发等工作。2011年作为第二批广东省创新科研团队核心成员进入东莞市天域半导体科技有限公司,开展SiC外延晶片研发与产业化工作,解决一系列外延晶片生产技术问题,实现SiC外延晶片产品,其中包括600V至万伏级单极型SiC功率器件结构材料及万伏级双极型SiC功率器件结构材料。先后发表或合作发表研究论文60余篇,申报国家专利30余项,制定联盟标准2项。