7月13日，纪念蒋民华先生九十周年系列活动、山东大学第四十五期“育晶论坛”成功举办。中山大学刘扬教授受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作了题为“GaN功率半导体技术发展态势”的报告。本次论坛由大平台徐现刚教授主持。

报告伊始，刘扬教授强调了以氮化镓（GaN）为代表的三族氮化物功率半导体技术对双碳目标的实现及国家战略安全具有重大战略意义。他详细介绍了GaN材料凭借其优异的物理特性在消费电子、工业、汽车及航空航天等领域的广阔应用前景。其次，报告回顾了过去二十年产业链协同发展的成果，指出目前在大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延、稳定常关（E-mode）器件的制备以及与CMOS兼容的芯片工艺等关键共性技术问题上已取得重大突破，并已在消费电子领域实现初步推广。最后，报告深入剖析了衬底技术对持续提升GaN器件性能的核心作用及其对发展路径的深刻影响，并分享了对未来III族氮化物功率半导体技术发展趋势的深刻思考。

在报告后的讨论环节，现场师生与刘扬教授围绕GaN器件衬底类型选择、D-mode（耗尽型）与E-mode（增强型）性能差异、市场商用现状及未来趋势以及GaN器件测试中阈值电压漂移难题的解决方案等方面，展开了深入的交流。

论坛结束后，大平台徐现刚教授向刘扬教授表示感谢并颁发了证书。

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料全国重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。